桑丹丹副教授在《Rare Metals》上发表MoS2基纳米光电器件综述封面文章

近日,聊城大学千赢国际app手机版下载桑丹丹副教授课题组在工程技术类期刊Rare Metals(《稀有金属》中科院一区Top,影响因子6.318)上发表了题为“Research progress of optoelectronic devices based on two-dimensional MoS2 materials(基于二维MoS2材料的光电子器件研究进展)”的综述文章,被选为封面文章。2021级硕士生邹良锐为文章第一作者,桑丹丹副教授、王庆林副教授为文章通讯作者,聊城大学为第一通讯单位。

该综述文章归纳了基于二维2D纳米MoS2材料光电器件例如传感器、光电探测器、发光二极管存储器和场效应晶体管)的最新应用进展并对基于二维纳米 MoS2 材料光电器件的未来发展方向提出新的见解和展望例如,可通过优化MoS2纳米结构及其与不同衬底的集成,提高光电器件的响应率。该研究有助于进一步拓展新型二维纳米材料光电器件的应用领域。

 

1. aMoS2/GaSe异质结示意图;bMoS2/GaSe异质结在不同光照波长下的I-V曲线;c405nm光照下不同功率密度下的光电特性; d低偏置电压MoS2/GaSe 异质结的 I-V 曲线;eMoS2/GaSe异质结传感机理示意图

 

2. aMoS2薄膜晶体管结构示意图;(b) MoS2薄膜的横截面TEM图像;(cVDS=1V时的 VGS-IDS 曲线;(dVDS-IDS 曲线在 VGS -3050 V;(eIon  Ioff 的直方图以及 Ion/Ioff 的图;(f20MoS2 TFTgm VTH 

该工作得到了国家自然科学基金、山东省自然科学基金、山东省高等学校青创人才引育计划、山东省高等学校青创科技计划和山东省泰山学者专项建设等项目的资助。

 

文章链接:https://doi.org/10.1007/s12598-022-02113-y

 

审稿:刘才龙